京东方A申请薄膜晶体管、移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示面板专利,提高源漏单元的效率

金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管、移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示面板“,公开号CN117642865A,申请日期为2022年6月。

专利摘要显示,一种薄膜晶体管、移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示面板,薄膜晶体管中,每个源极单元包括M个源极分支,源极分支和漏极分支均沿第一方向延伸且在与第一方向相交的第二方向上间隔排列;一个源极单元与对应的一个漏极单元构成一个源漏单元,薄膜晶体管包括P个源漏单元,每个源漏单元内M个源极分支与N个漏极分支交替设置,M大于等于N;半导体层与M个源极分支和N个漏极分支电连接,半导体层包括位于相邻的漏极分支和源极分支之间的多个子沟道区;P个源漏单元的多个子沟道区在第一方向上的宽度的总和为W,P个源漏单元的多个子沟道区在与第一方向垂直的方向上的平均长度为L;12≤W/L≤400,P、M和N均为大于等于1的整数,P×N≥4。

本文源自金融界

发布于 2025-08-06
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